点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
FET 型2 N 沟道(半桥)
FET 特点标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.2 毫欧 @ 150A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)200V
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 6mA
闸电荷(Qg) @ Vgs325nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C300A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 18500pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安装类型底座安装
以上是APTM20AM06SG的详细信息,包括APTM20AM06SG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!