APTM20DHM16TG

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: SP4
数量：: 1629
说明：: MOSFET MOD ASSYMMETRIC BRDG SP4

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中文参数如下：
FET 型2 N 沟道（非对称桥）
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C19 毫欧 @ 52A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)200V
Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs140nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C104A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 7220pF @ 25V
功率 - 最大390W
安装类型底座安装

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