APTM120DA15G

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: SP6
数量：: 1296
说明：: MOSFET N-CH 1200V 60A SP6

一、本商品被浏览0次.

APTM120DA15G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C175 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 10mA
闸电荷(Qg) @ Vgs748nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 20600pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安装类型底座安装

以上是APTM120DA15G的详细信息，包括APTM120DA15G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：