APTM120DA15G

厂家:
  Microsemi Corporation
封装:
 SP6
数量:
 1296  
说明:
 MOSFET N-CH 1200V 60A SP6
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中文参数如下:
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C175 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 10mA
闸电荷(Qg) @ Vgs748nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C60A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 20600pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安装类型底座安装

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