APTM120DA68T1G

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: SP1
数量：: 1332
说明：: MOSFET N-CH 1200V 15A SP1

一、本商品被浏览0次.

APTM120DA68T1G PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C816 毫欧 @ 12A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1200V (1.2kV)
Id 时的 Vgs(th)（最大）5V @ 2.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs260nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 6696pF @ 25V
功率 - 最大357W
安装类型底座安装

以上是APTM120DA68T1G的详细信息，包括APTM120DA68T1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：