APTM100U13SG

厂家：: Microsemi Corporation
封装：: 模块
数量：: 972
说明：: MOSFET N-CH 1000V 65A J3

一、本商品被浏览0次.

APTM100U13SG PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C145 毫欧 @ 32.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1000V (1kV)
Id 时的 Vgs(th)（最大）4V @ 10mA
闸电荷(Qg) @ Vgs2000nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C65A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 31600pF @ 25V
功率 - 最大1250W
安装类型底座安装

以上是APTM100U13SG的详细信息，包括APTM100U13SG厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：