APTM100UM45DAG

厂家:
  Microchip Technology
封装:
 
数量:
 2481  
说明:
 MOSFET N-CH 1000V 215A SP6
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中文参数如下:
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C52 毫欧 @ 107.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1000V (1kV)
Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 30mA
闸电荷(Qg) @ Vgs1602nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C215A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 42700pF @ 25V
功率 - 最大5000W
安装类型底座安装

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