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APTGF150H120G

厂家：
  Microchip Technology
封装：
 SP6
数量：
 6471  
说明：
 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6
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APTGF150H120G PDF参数资料

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中文参数如下：
电压 - 集电极发射极击穿（最大）1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）3.7V @ 15V, 150A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）200A
电流 - 集电极截止（最大）350µA
Vce 时的输入电容 (Cies)10.2nF @ 25V
功率 - 最大961W
输入标准型
配置全桥反相器
NTC 热敏电阻无
安装类型底座安装

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