APTGF15H120T1G

厂家:
  Microsemi Corporation
封装:
 SP1
数量:
 6498  
说明:
 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP1
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APTGF15H120T1G PDF参数资料

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中文参数如下:
电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
Vge, Ic时的最大Vce(开)3.7V @ 15V, 15A
电流 - 集电极 (Ic)(最大)25A
电流 - 集电极截止(最大)250µA
Vce 时的输入电容 (Cies)1nF @ 25V
功率 - 最大140W
输入标准型
配置全桥反相器
NTC 热敏电阻是
安装类型底座安装

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