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APTGF15H120T3G

厂家：
  Microsemi Corporation
封装：
 SP3
数量：
 6507  
说明：
 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP3
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APTGF15H120T3G PDF参数资料

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中文参数如下：
电压 - 集电极发射极击穿（最大）1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）3.7V @ 15V, 15A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）25A
电流 - 集电极截止（最大）250µA
Vce 时的输入电容 (Cies)1nF @ 25V
功率 - 最大140W
输入标准型
配置全桥反相器
NTC 热敏电阻是
安装类型底座安装

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