APTC60AM18SCG

厂家：: Microchip Technology
封装：
数量：: 7121
说明：: MOSFET PWR MOD SER/SIC DIO SP6

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中文参数如下：
FET 型2 N 沟道（半桥）
FET 特点标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C18 毫欧 @ 71.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)600V
Id 时的 Vgs(th)（最大）3.9V @ 4mA
闸电荷(Qg) @ Vgs1036nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C143A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 28000pF @ 25V
功率 - 最大833W
安装类型底座安装

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