APTC60AM35SCTG

厂家:
  Microchip Technology
封装:
 
数量:
 7161  
说明:
 POWER MODULE MOSFET 600V 72A SP4
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中文参数如下:
FET 型2 N 沟道(半桥)
FET 特点标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 36A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)600V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.9V @ 2mA
闸电荷(Qg) @ Vgs518nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C72A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 14000pF @ 25V
功率 - 最大416W
安装类型底座安装

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