APT1001RBN

厂家:
  Microchip Technology
封装:
 TO-247AD
数量:
 1449  
说明:
 
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APT1001RBN PDF参数资料

中文参数如下:
:-55°C ~ 150°C(TJ)
功率耗散(最大值):310W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2950 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):130 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1 欧姆 @ 5.5A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Tc)
漏源电压(Vdss):1000 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:停产
包装:POWER MOS IV?
系列:管件
品牌:Microchip Technology

以上是APT1001RBN的详细信息,包括APT1001RBN厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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