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中文参数如下:
FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1 欧姆 @ 500mA, 10V
漏极至源极电压(Vdss)1000V (1kV)
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs225nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 3660pF @ 25V
功率 - 最大280W
安装类型表面贴装
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