中文参数如下:
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封装封装/外壳:TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD
安装类型:表面贴装型
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率 - 最大值:2.1W
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1250pF @ 15V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):25nC @ 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 毫欧 @ 12A,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A(Tc)
漏源电压(Vdss):30V
FET 功能:-
配置:N 和 P 沟道互补型
技术:MOSFET(金属氧化物)
产品状态:停产
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.
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