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AOI11S60

厂家：
  Alpha & Omega Semiconductor Inc.
封装：
 TO-251A
数量：
 6516  
说明：
 MOSFET N-CH 600V 11A TO251A
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AOI11S60-TO-251A图片

AOI11S60 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：208W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：545 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：11 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.1V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：399 毫欧 @ 3.8A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：11A（Tc）
漏源电压（Vdss）：600 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：aMOS?
系列：管件
品牌：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

以上是AOI11S60的详细信息，包括AOI11S60厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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