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中文参数如下:
FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 6.5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.5A
Id 时的 Vgs(th)(最大):850mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:23nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :2100pF @ 6V
功率 - 最大:1.4W
安装类型:表面贴装
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