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中文参数如下:
FET 型2 个 N 沟道(双)
FET 特点逻辑电平门
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫欧 @ 6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)20V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs5.2nC @ 4.5V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 290pF @ 10V
功率 - 最大1.5W
安装类型表面贴装
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