ALD1121EPA

厂家:
  Advanced Linear Devices
封装:
 PDIP-8
数量:
 2700  
说明:
 MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch
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ALD1121EPA PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:50
功率耗散:600 mW
最小工作温度:0 C
封装形式:PDIP-8
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 70 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):500 Ohms
漏极连续电流:3 mA
闸/源击穿电压:+/- 6.6 V
汲极/源极击穿电压:10 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Advanced Linear Devices

以上是ALD1121EPA的详细信息,包括ALD1121EPA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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