ALD1121ESAL

厂家：: Advanced Linear Devices
封装：: SOIC-8
数量：: 2727
说明：: MOSFET Dual EPAD(R) N-Ch

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ALD1121ESAL PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
功率耗散：600 mW
最小工作温度：0 C
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 70 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：500 Ohms
漏极连续电流：3 mA
闸/源击穿电压：+/- 6.6 V
汲极/源极击穿电压：10 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Advanced Linear Devices

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