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中文参数如下:
功率耗散:117 W
安装风格:SMD/SMT
封装形式:9045EF
最大工作温度:+ 150 C
闸/源击穿电压:15 V
漏极连续电流:4.25 A
汲极/源极击穿电压:65 V
输出功率:10 W
增益:20 dB
频率:865 MHz to 895 MHz
晶体管极性:N-Channel
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频MOSFET电源晶体管
制造商:TriQuint
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