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2SK3798(STA4,Q,M)

厂家：
  Toshiba Semiconductor and Storage
封装：
 TO-220SIS
数量：
 5931  
说明：
 POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220(S
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2SK3798(STA4,Q,M) PDF参数资料

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中文参数如下：
：150°C
功率耗散（最大值）：40W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：800 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：26 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3.5 欧姆 @ 2A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：4A（Ta）
漏源电压（Vdss）：900 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

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