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中文参数如下:
工厂包装数量:1500
上升时间:18 ns
功率耗散:125 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:35 ns
封装形式:TFP
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0058 Ohms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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