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中文参数如下:
工厂包装数量:3000
功率耗散:350 mW
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.08 S
包装形式:Reel
封装形式:SOT-23
安装风格:SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.7 Ohms
漏极连续电流:115 mA
闸/源击穿电压:40 V
汲极/源极击穿电压:60 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:过渡期间
产品种类:MOSFET
制造商:Central Semiconductor
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