2N7002-7

厂家：: Diodes Inc.
封装：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：: 4059
说明：: MOSFET 60V 200mW

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2N7002-7 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：11 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：150 mW
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.08 S
包装形式：Reel
封装形式：SOT-563
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：7.5 Ohms
漏极连续电流：115 mA
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：70 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.

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