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2N7002E-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOT-23 (TO-236)
数量：
 5382  
说明：
 MOSFET 60V 0.24A T&R
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2N7002E-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：3000
功率耗散：0.35 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23 (TO-236)
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.8 Ohms
漏极连续电流：240 mA
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是2N7002E-T1的详细信息，包括2N7002E-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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