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2N7002E-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
数量：: 25518
说明：: MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V

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2N7002E-T1-GE3-TO-236-3，SC-59，SOT-23-3图片

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中文参数如下：

零件号别名：2N7002E-GE3
典型关闭延迟时间：18 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：0.35 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：0.4 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.6 S
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 Ohms
漏极连续电流：0.24 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是2N7002E-T1-GE3的详细信息，包括2N7002E-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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