2N6519BU

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92
数量:
 3438  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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2N6519BU PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:1000
包装形式:Bulk
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625000 mW
直流电流增益 hFE 最大值:270
集电极连续电流:- 0.5 A
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:45
增益带宽产品fT:200 MHz
最大直流电集电极电流:0.5 A
集电极—射极饱和电压:- 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:- 300 V
集电极—基极电压 VCBO:- 300 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N6519BU的详细信息,包括2N6519BU厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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