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中文参数如下：
包装形式：Box
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：680 mW
直流电流增益 hFE 最大值：20 at 1 mA at 10 V
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：20 at 1 mA at 10 V, 30 at 10 mA at 10 V, 30 at 30 mA at 10 V, 20 at 50 mA at 10 V, 15 at 100 mA at 10 V
增益带宽产品fT：40 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：350 V
集电极—基极电压 VCBO：350 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：否
制造商：Diodes Inc.
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