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2N6519TA

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 TO-92-3 Kinked Lead
数量：
 3447  
说明：
 两极晶体管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
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2N6519TA PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：2000
包装形式：Ammo
最小工作温度：- 55 C
最大功率耗散：625000 mW
直流电流增益 hFE 最大值：270
集电极连续电流：- 0.5 A
封装形式：TO-92-3 Kinked Lead
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：45
增益带宽产品fT：200 MHz
最大直流电集电极电流：0.5 A
集电极—射极饱和电压：- 300 V
发射极 - 基极电压 VEBO：- 5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：- 300 V
集电极—基极电压 VCBO：- 300 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是2N6519TA的详细信息，包括2N6519TA厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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