2N5550_D26Z

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92-3 Kinked Lead
数量:
 1152  
说明:
 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

2N5550_D26Z PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

工厂包装数量:2000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
直流电流增益 hFE 最大值:250
集电极连续电流:0.6 A
封装形式:TO-92-3 Kinked Lead
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:60
增益带宽产品fT:300 MHz
最大直流电集电极电流:0.6 A
集电极—射极饱和电压:140 V
发射极 - 基极电压 VEBO:6 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:140 V
集电极—基极电压 VCBO:160 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是2N5550_D26Z的详细信息,包括2N5550_D26Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • 暂无电子元件图

    2N5550_J24Z

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • 2N5550BU图片

    2N5550BU

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • 2N5550G图片

    2N5550G

    两极晶体管 - BJT 600mA 160V NPN

  • 2N5550TA图片

    2N5550TA

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

  • 2N5550TAR图片

    2N5550TAR

    两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC