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点击查看BFP 650 E6327参考图片 BFP 650 E6327 Infineon Technologies SOT-343 射频硅锗晶体管 GP BJT NPN 4V 0.15A NPN 4V 0.15A
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:0.15 A,功率耗散:500 m...
点击查看BFP 650 H6327参考图片 BFP 650 H6327 Infineon Technologies SOT-343 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:150 mA,功率耗散:500 m...
点击查看BFP 650F E6327参考图片 BFP 650F E6327 Infineon Technologies 4-TSFP 射频硅锗晶体管 NPN Silicn Germanium RF Transistor
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,功率耗散:500 mW,封装形式:TSFP,包装形式:Reel,最大工作温度:+ 150 C,...
BFP 650F H6327 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP650,零件号别名:BFP650FH6327XT BFP650...
BFP 720 E6327 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 RF BIPOLAR TRANSISTR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,零件号别名:BFP720E6327XT,...
BFP 720 H6327 Infineon Technologies 4075 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP720,零件号别名:BFP720H6327XT BFP720H...
BFP 720ESD E6327 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 Robust Hi Perform Lo Noise Bip RF Trans
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Reel,零件号别名:BFP720ESDE6327XT,...
BFP 720ESD H6327 Infineon Technologies 2935 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP720,零件号别名:BFP720ESDH6327XT BFP720ESDH6327XTS...
点击查看BFP 720F E6327参考图片 BFP 720F E6327 Infineon Technologies 4-TSFP 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:25 mA,功率耗散:100 mW,安装风格:SMD/SMT...
BFP 720F H6327 Infineon Technologies TSFP-4-1 815 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:25 mA,功率耗散:100 mW...
点击查看BFP 720FESD E6327参考图片 BFP 720FESD E6327 Infineon Technologies 4-TSFP 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,集电极连续电流:30 mA,功率耗散:100 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:TSFP-4-1,包装形式:Re...
点击查看BFP 720FESD H6327参考图片 BFP 720FESD H6327 Infineon Technologies TSFP-4-1 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,集电极连续电流:30 mA,功率耗散:100 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:TSFP-4-1,包...
点击查看BFP 740 E6327参考图片 BFP 740 E6327 Infineon Technologies SOT-343 射频硅锗晶体管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.03A
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:0.03 A,功率耗散:160 m...
BFP 740 H6327 Infineon Technologies 2757 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP740,零件号别名:BFP740H6327XT BFP740H...
点击查看BFP 740ESD H6327参考图片 BFP 740ESD H6327 Infineon Technologies SOT343-3 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,集电极连续电流:45 mA,功率耗散:160 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:SOT343-3,包装形式:Re...
点击查看BFP 740F E6327参考图片 BFP 740F E6327 Infineon Technologies 4-TSFP 射频硅锗晶体管 TRANS GP BJT NPN 4V 0.03A
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:30 mA,功率耗散:160 mW...
BFP 740F H6327 Infineon Technologies TSFP-4 4862 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTOR
参数:制造商:Infineon,产品种类:射频硅锗晶体管,RoHS:是,发射极 - 基极电压 VEBO:1.2 V,集电极连续电流:30 mA,功率耗散:160 mW...
点击查看BFP 740FESD E6327参考图片 BFP 740FESD E6327 Infineon Technologies 4-TSFP 射频硅锗晶体管 RF BIP TRANSISTORS
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Reel,零件号别名:BFP740FESDE6327XT,...
BFP 740FESD H6327 Infineon Technologies 射频硅锗晶体管 RF BI
参数:制造商:Infineon,RoHS:是,包装形式:Reel,系列:BFP740,零件号别名:BFP740FESDH6327XT BFP740FESDH6327X...
NESG2021M05 CEL M05 射频硅锗晶体管 RO 551-NESG2021M05-A
参数:制造商:CEL,RoHS:否,功率耗散:175 mW,安装风格:SMD/SMT,封装形式:M05,工厂包装数量:50,...

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