| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
BLF278 | Advanced Semiconductor, Inc. | 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor | |||
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，包装形式：Tray，... | ||||||
|
BLF278,112 | NXP Semiconductors | CDFM4 | 射频MOSFET电源晶体管 RF DMOS 250W VHF | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|MOSFET|2 N 沟道（双）共源|108MHz|22dB|50 V|18A|-|100 mA|300W|1... | ||||||
|
|
BLF278/01,112 | NXP Semiconductors | CDFM4 | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR VHF PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|管件|-|停产|MOSFET|2 N 沟道（双）共源|108MHz|22dB|50 V|18A|-|100 mA|300W|1... | ||||||
|
BLF346 | NXP Semiconductors | SOT-119A | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-RFPR | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：224.25 MHz，增益：16.... | ||||||
|
BLF346,112 | NXP Semiconductors | CDFM6 | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-RFPR | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|MOSFET|N 通道|224.25MHz|16.5dB|28 V|13A|-|3 A|30W|65 V|底座... | ||||||
|
BLF368 | NXP Semiconductors | SOT-262 A1 | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-RFUH | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual，晶体管极性：N-Channel，频率：225 MHz，增益：13.5 dB，... | ||||||
|
|
BLF368,112 | NXP Semiconductors | CDFM4 | 射频MOSFET电源晶体管 BULK TNS-RFUH | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|MOSFET|2 N 沟道（双）共源|225MHz|13.5dB|32 V|25A|-|250 mA|300W... | ||||||
|
|
BLF369,112 | NXP Semiconductors | SOT502B | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS 65V 100A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Dual Dual Source，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：... | ||||||
|
BLF378 | Advanced Semiconductor, Inc. | SOT-262A | 5 | 射频MOSFET电源晶体管 RF Transistor | |
| 参数：制造商：Advanced Semiconductor, Inc.，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：225 MHz，汲极/... | ||||||
|
BLF3G21-30 | NXP Semiconductors | LDMOST-3 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
|
BLF3G21-30,112 | NXP Semiconductors | SOT467C | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2GHz|13.5dB|26 V|4.5A|-|450 mA|30W|65 V|底座安装|SO... | ||||||
|
|
BLF3G21-6 | NXP Semiconductors | CDIP SMT | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
|
BLF3G21-6,112 | NXP Semiconductors | 2-CSMD | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2GHz|15.5dB|26 V|2.3A|-|90 mA|6W|65 V|表面贴装型|SOT... | ||||||
|
|
BLF3G21-6,135 | NXP Semiconductors | 2-CSMD | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR UHF PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2GHz|15.5dB|26 V|2.3A|-|90 mA|6W|65 V|表面贴装型... | ||||||
|
BLF3G22-30,112 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR UHF PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|托盘|-|停产|LDMOS|-|2.17GHz|14dB|28 V|12A|-|450 mA|6W|65 V|底座安装|SOT... | ||||||
|
|
BLF3G22-30,135 | NXP Semiconductors | CDFM2 | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR UHF PWR LDMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|LDMOS|-|2.17GHz|14dB|28 V|12A|-|450 mA|6W|65 V|底座安装... | ||||||
|
BLF404,115 | NXP Semiconductors | 8-CSMD | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR UHF PWR DMOS | ||
| 参数：Ampleon USA Inc.|卷带（TR）|-|停产|MOSFET|N 通道|500MHz|11.5dB|12.5 V|1.5A|-|50 mA|4W|40... | ||||||
|
|
BLF4G10-160 | NXP Semiconductors | LDMOST-3 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
|
BLF4G10-160,112 | NXP Semiconductors | LDMOST | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：NXP USA Inc.|管件|-|停产|LDMOS|-|894MHz|19.7dB|28 V|15A|-|900 mA|160W|65 V|底座安装|SOT-... | ||||||
|
|
BLF4G10LS-120 | NXP Semiconductors | LDMOST-3 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，RoHS：是，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电... | ||||||
62/82 首页 上页 [57] [58] [59] [60] [61] [62] [63] [64] [65] [66] [67] 下页 尾页
