| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
PTFA043002E V1 | Infineon Technologies | H-30275-4 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|停产|LDMOS|-|800MHz|16dB|32 V|10μA|-|1.55 A|100W|65 V|表... | ||||||
|
PTFA070601E V4 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... | ||||||
|
|
PTFA070601E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... | ||||||
|
PTFA070601F V4 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... | ||||||
|
|
PTFA070601F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：900 mA，闸/源击穿电压：1... | ||||||
|
PTFA071701E V4 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1 A，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
|
PTFA071701E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1 A，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
|
PTFA071701F V4 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1 A，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
|
|
PTFA071701F V4 R250 | Infineon Technologies | H-37248-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1 A，闸/源击穿电压：12 V... | ||||||
|
PTFA072401EL V4 | Infineon Technologies | H-33288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1800 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
|
|
PTFA072401EL V4 R250 | Infineon Technologies | H-33288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1800 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
|
PTFA072401FL V4 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1800 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
|
|
PTFA072401FL V4 R250 | Infineon Technologies | H-34288-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，汲极/源极击穿电压：65 V，漏极连续电流：1800 mA，闸/源击穿电压：... | ||||||
|
|
PTFA072401FL V5 | Infineon Technologies | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | |||
| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：PTFA072401FLV5XWSA1 SP000983704，... | ||||||
|
|
PTFA072401FL V5 R250 | Infineon Technologies | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | |||
| 参数：制造商：Infineon，零件号别名：PTFA072401FLV5R250XTMA1 SP000983706，... | ||||||
|
|
PTFA072401FLV5R250XTMA1 | Infineon Technologies | 射频MOSFET电源晶体管 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
PTFA072401FLV5XWSA1 | Infineon Technologies | 射频MOSFET电源晶体管 | |||
| 参数：制造商：Infineon，... | ||||||
|
|
PTFA080551E V1 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 50 W | ||
| 参数：Infineon Technologies|托盘|-|Digi-Key 停止提供|LDMOS|-|960MHz|18.5dB|28 V|10μA|-|600 m... | ||||||
|
|
PTFA080551E V4 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 960 MHz，... | ||||||
|
|
PTFA080551E V4 R250 | Infineon Technologies | H-36265-2 | 射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 55 W 869-960 MHZ | ||
| 参数：制造商：Infineon，产品种类：射频MOSFET电源晶体管，配置：Single，晶体管极性：N-Channel，频率：869 MHz to 960 MHz，... | ||||||
10/82 首页 上页 [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] 下页 尾页
