| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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STB9NK90Z | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N Ch 900V 1.1 8A Zener SuperMESH | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：900 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB130NH02LT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 24 Volt 90 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：24 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极... | ||||||
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STB130NS04ZBT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N Ch CLAMPED 8mOhm 80A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：33 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB13NK60ZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | 891 | MOSFET N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB13NM50N | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB13NM50N-1 | STMicroelectronics | I2PAK | MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB13NM60N | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET POWER MOSFET N-CH | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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STB140NF55T4 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 1,784 | MOSFET N-Ch 55 Volt 80 Amp | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：过渡期间，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击... | ||||||
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STB140NF75T4 | STMicroelectronics | D2PAK | 1,950 | MOSFET N-Ch 75 Volt 120 Amp | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB141NF55 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB141NF55-1 | STMicroelectronics | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Ch, 55V-0.0065ohms 80A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB14NF10T4 | STMicroelectronics | TO-263 | MOSFET N-Ch 100 Volt 15 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB14NK50Z-1 | STMicroelectronics | TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Ch, 500V-0.34ohms 14A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB14NK50ZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 500 Volt 14 Amp Zener SuperMESH | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB14NK60ZT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 600 Volt 13.5 A Zener SuperMESH | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB14NM50N | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 500V 0.246 ohm 12 A MDmesh II | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB14NM65N | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Channel 650V 0.33 Ohms 12A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB150N3LH6 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 998 | MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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STB150NF04 | STMicroelectronics | D2PAK | 1,893 | MOSFET N-Ch, 40V-0.005ohms 80A | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STB150NF55T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 55 Volt 120 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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