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STB150N3LH6

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 5201  
说明：
 MOSFET N-Ch 30V 2.4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE
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STB150N3LH6-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

STB150N3LH6 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：100 ns
上升时间：85 ns
功率耗散：110 W
栅极电荷 Qg：80 nC
下降时间：40 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOhms
漏极连续电流：80 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

以上是STB150N3LH6的详细信息，包括STB150N3LH6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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