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STB15N80K5

厂家：: STMicroelectronics
封装：: D2PAK（TO-263）
数量：: 4257
说明：: MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm typ SuperMESH V 14A

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STB15N80K5 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：44 ns
上升时间：17.6 ns
功率耗散：190 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：32 nC
下降时间：10 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.3 Ohms
漏极连续电流：14 A
闸/源击穿电压：30 V
汲极/源极击穿电压：800 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：STMicroelectronics

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