首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > STB13NM50N-1

STB13NM50N-1

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 I2PAK
数量：
 4914  
说明：
 MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
STB13NM50N-1-I2PAK图片

STB13NM50N-1 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：40 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：15 ns
功率耗散：100 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：10 ns
包装形式：Tube
封装形式：I2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.32 Ohms
漏极连续电流：12 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB13NM50N-1的详细信息，包括STB13NM50N-1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • SQR97N06-6M3L_GE3
  • NVD5C486NT4G
  • NVD5C486NLT4G
  • SQD25N06-22L_T4GE3
  • ISC0804NLSATMA1
  • PSMN1R4-30YLDX
  • IXTY90N055T2-TRL
  • IPB100N06S2L05ATMA2
  • AOTF292L
  • AOWF20S60

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC