| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
STB120N4F6 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Ch 40V 4mOhm 80A STripFET VI DeepGATE | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
STB120N4LF6 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 703 | MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：40 V，漏极连续电流：... | ||||||
|
STB120NF10T4 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 100 Volt 120Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
STB120NH03LT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 30 Volt 60 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
STB12NK80ZT4 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 800 Volt 10.5A Zener SuperMESH | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB12NM50FDT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB12NM50N | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-CHANNEL MOSFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB12NM50ND | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-channel 500 V 11 A Fdmesh | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，漏极连续电流... | ||||||
|
|
STB12NM50T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 500 Volt 12 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：500 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
STB12NM60N | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N ch 600V 0.005 Ohm 10A Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
STB12NM60N-1 | STMicroelectronics | I2PAK | MOSFET N Ch 1500V 2.5A Hi Vltg Pwr MOSFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB75N20 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET POWER MOSFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB75NF20 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET Low charge STripFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB75NF75LT4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 75 Volt 75 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
STB75NF75T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch, 75V-0.0095ohms 80A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
STB75NH02LT4 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 12 | MOSFET N-Ch 24 Volt 75 Amp | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：24 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
|
STB76NF75 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | MOSFET POWER MOSFET N-CH 75V | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压... | ||||||
|
STB76NF80 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 80 V .0095 ohm 80 A STripFET II | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：80 V，漏极连续电流：... | ||||||
|
|
STB7N52K3 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 4,761 | MOSFET N-channel 525V 0.84 6.3 A PAK D | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：525 V，闸/源击穿电... | ||||||
|
|
STB7NB60T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 600 Volt 7 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电... | ||||||
328/1327 首页 上页 [323] [324] [325] [326] [327] [328] [329] [330] [331] [332] [333] 下页 尾页
