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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:75 ns
工厂包装数量:1000
上升时间:33 ns
功率耗散:190 W
最小工作温度:- 50 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :40 S
下降时间:29 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.034 Ohms
漏极连续电流:75 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:200 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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