| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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STFV4N150 | STMicroelectronics | TO-220 | MOSFET IGBT | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1500 V，闸/源击穿... | ||||||
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STFW3N150 | STMicroelectronics | TO-3P-3 整包 | MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1500 V，漏极连续电... | ||||||
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STFW4N150 | STMicroelectronics | TO-3P-3 整包 | 34 | MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1500 V，漏极连续电... | ||||||
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STFW60N65M5 | STMicroelectronics | TO-3P-3 整包 | 282 | MOSFET N-ch 650 V 0.049 Ohm 46 A MDmesh | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STFW69N65M5 | STMicroelectronics | TO-3P-3 整包 | 252 | MOSFET N-Ch 650V 0.037 Ohm 58A MDMesh V MOS | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，漏极连续电流：58 A，电... | ||||||
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STFW6N120K3 | STMicroelectronics | TO-3PF | MOSFET N-Ch 1200V 1.95 Ohm 6A Zener SuperMESH3 | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：1.2 KV，闸/源击穿... | ||||||
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STH110N10F7-2 | STMicroelectronics | H2Pak-2 | 110 | MOSFET N-Ch 100V 6mOhm 110A STripFET VII | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电... | ||||||
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STH130N10F3-2 | STMicroelectronics | H2Pak-2 | MOSFET N-Ch 100V 7.8 mOhm 120 A STripFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，漏极连续电流... | ||||||
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STH180N10F3-2 | STMicroelectronics | H2Pak-2 | MOSFET N-Ch 100V 3.9 mOhm 180A STripFET | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STH180N10F3-6 | STMicroelectronics | TO-263-7，D2Pak（6 引线 + 接片） | MOSFET N-ch 100V 3.9 Ohm 180A STripFET III | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STH210N75F6-2 | STMicroelectronics | H2Pak-2 | MOSFET N-ch 75V 0.0022 Ohm 180A STripFET VI | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STH240N75F3-2 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | 93 | MOSFET N-Ch 75V 2.6mOhm 180A STripFET III | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压：20 V，漏极连续电流... | ||||||
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STH240N75F3-6 | STMicroelectronics | H2PAK-6 | MOSFET N-channel 75V 210A STripFET III | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：75 V，闸/源击穿电压... | ||||||
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STGIPS35K60L1 | STMicroelectronics | 22-PowerDIP 模块（0.993"，25.23mm） | 121 | MOSFET SLLIMM IPM 35A 600V Rugged IGBT 4.7kOhm | |
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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STGIPS40W60L1 | STMicroelectronics | 22-PowerDIP 模块（0.993"，25.23mm） | MOSFET SLLIMM IPM 40A 600V Ultra Fast 4.7kOhm | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：是，包装形式：Tube，... | ||||||
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STB57N65M5 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：650 V，漏极连续电流... | ||||||
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STB5N52K3 | STMicroelectronics | TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Ch 525V 1.2 Ohm 4.4A SuperMESH3 | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：525 V，漏极连续电流... | ||||||
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STB5N62K3 | STMicroelectronics | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Ch 620V 1.28V Ohm 4.2A SuperMESH3 | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：620 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB5NB60T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-Ch 600 Volt 5 Amp | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：600 V，闸/源击穿电... | ||||||
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STB5NB80T4 | STMicroelectronics | D2PAK | MOSFET N-CH 800V 5A | ||
| 参数：制造商：STMicroelectronics，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：800 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，漏... | ||||||
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