| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
TPCC8104,LQ(O | Toshiba | MOSFET MOSFET, P-ch, -30V, -20A, TSON-ADV | |||
| 参数：制造商：Toshiba，... | ||||||
|
|
TPCC8104LQ(O | Toshiba | MOSFET P-Ch -30V FET 27W -20A 2260pF 58nC | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
TPCC8105,LQ(O | Toshiba | MOSFET MOSFET, P-ch, -30V, -23A, TSON-ADV | |||
| 参数：制造商：Toshiba，... | ||||||
|
|
TPCC8105LQ(O | Toshiba | MOSFET P-Ch -30V FET 30W -23A 3240pF 76nC | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
TPCC8A01-H(TE12LQM | Toshiba | 8-VDFN 裸露焊盘 | MOSFET MOSFET 30V 21A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
.JPG)
|
TPCF8001(TE85L,F) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET PW TR N-Ch 30V 7A 2.5W 19mOhms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
|
|
TPCF8001(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET N-ch 30V 7A VS-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
.JPG)
|
TPCF8101(TE85L,F) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET PW TR P-Ch -12V -6A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 12 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
TPCF8101(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET P-ch -12V -6A VS-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
.JPG)
|
TPCF8102(TE85L,F) | Toshiba | VS-8 | MOSFET PW TR P-Ch -20V -6A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
TPCF8102(TE85L,F,M | Toshiba | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET MOSFET P-Ch 20V 6A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 8 V，... | ||||||
.JPG)
|
TPCF8103(TE85L,F) | Toshiba | VS-8 | MOSFET PW TR P-Ch -20V -5.5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续... | ||||||
|
|
TPCF8103(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET P-ch -20V -2.7A VS-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
|
|
TPCF8104(TE85L,F) | Toshiba | VS-8 | MOSFET PW TR P-Ch -30V -6A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
.JPG)
|
TPCF8104(TE85L,F,M | Toshiba | VS-8 | MOSFET MOSFET P-Ch 30V 6A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
.JPG)
|
TPCF8201(TE85L,F) | Toshiba | VS-8 | MOSFET PW TR N-Ch 20V 3A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
|
TPCF8201(TE85L,F,M | Toshiba | VS-8（2.9x1.5） | MOSFET N-Ch Dual 20V 3A VS8 | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏... | ||||||
.JPG)
|
TPCF8301(TE85L,F) | Toshiba | VS-8 | MOSFET PW TR P-Ch -20V -2.7A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续... | ||||||
.JPG)
|
TPCF8302(TE85L,F) | Toshiba | VS-8 | MOSFET PW TR P-Ch -20V -3A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：10 V，漏极连... | ||||||
|
|
TPCF8302(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET P-ch -20V -3A VS-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
313/1326 首页 上页 [308] [309] [310] [311] [312] [313] [314] [315] [316] [317] [318] 下页 尾页
