![PDF](/static/img/pdf.gif)
点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:4000
上升时间:7 ns
功率耗散:2.5 W
下降时间:21 ns
包装形式:Reel
封装形式:VS-8
安装风格:SMD/SMT
配置:Single Hex Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.03 Ohms
漏极连续电流:6 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TPCF8102(TE85L,F,M的详细信息,包括TPCF8102(TE85L,F,M厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!