| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TPCP8203(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET MOSFET 40V 4.7A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPCP8301(TE85L,F,M | Toshiba | MOSFET MOSFET P-Ch Dual 20V 5ARdson=0.031Ohm | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V... | ||||||
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TPCP8302(TE85L,F) | Toshiba | PS-8 | MOSFET MOSFET P-Ch Dual 20V 5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V... | ||||||
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TPCP8302(TE85L,F,M | Toshiba | PS-8 | MOSFET MOSFET P-CH Dual 20V, 5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V... | ||||||
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TPCP8401(TE85L,F) | Toshiba | PS-8（2.9x2.4） | MOSFET N-Ch P-Ch 20V 0.1A -12V -5.5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：+ 20 V, - 12 V，闸/... | ||||||
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TPCP8401(TE85L,F,M | Toshiba | PS | MOSFET MOSFET N-CH P-CH 20V, 0.1A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V, - 12 V，闸/源击... | ||||||
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TPCP8402(TE85L,F) | Toshiba | PS-8-8 | MOSFET N-Ch P-Ch 30V 4.2A -30V -3.4A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- ... | ||||||
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TPCP8402(TE85L,F,M | Toshiba | PS-8 | MOSFET MOSFET N-Ch P-Ch 30V 4.2 3.4A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N and P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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TPCL4201(TE85L,F) | Toshiba | 4 片式 LGA（1.59x1.59） | MOSFET Dual N-Ch 20V FET 6A 1.65W 720pF | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPCL4202(TE85L,F) | Toshiba | 4 片式 LGA（1.59x1.59） | MOSFET Dual N-Ch 30V FET 6A 1.65W 780pF | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPCL4203(TE85L,F) | Toshiba | 4 片式 LGA（1.59x1.59） | MOSFET Dual N-Ch 24V FET 6A 1.65W 685pF | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPC8012-H(TE12L,Q) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch 200V 1.8A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 30 V，... | ||||||
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TPC8012-H(TE12LQ,M | Toshiba | MOSFET N-ch 200V 1.8A SOP-8 | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，包装形式：Reel，... | ||||||
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TPC8014(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 11A Rdson=0.014Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，电阻汲极/源极 RDS（导通）：22... | ||||||
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TPC8017-H(TE12L,Q) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET PW TR N-Ch 30V 15A 1.9W 5.1mOhms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8017-H(TE12LQM) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 15A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8018-H(TE12L,Q) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET PW TR N-Ch 30V 18A 1.9W 3.5mOhms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8018-H(TE12LQM) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET MOSFET N-Ch 30V 18A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8020-H(TE12L,Q) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET N-Ch 30V 13A 23nC 0.0068 Ohms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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TPC8020-H(TE12LQM) | Toshiba | SOP-8 | MOSFET MOSFET N-CH 30V, 13A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏... | ||||||
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