首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > TPC8017-H(TE12L,Q)

TPC8017-H(TE12L,Q)

厂家：: Toshiba
封装：: SOP-8
数量：: 5949
说明：: MOSFET PW TR N-Ch 30V 15A 1.9W 5.1mOhms

一、本商品被浏览0次.

TPC8017-H(TE12L,Q) PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：28 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：47 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：33 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0095 Ohms
漏极连续电流：15 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TPC8017-H(TE12L,Q)的详细信息，包括TPC8017-H(TE12L,Q)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：