中文参数如下:
典型关闭延迟时间:125 nS, 74 nS
工厂包装数量:3000
上升时间:9.5 nS
功率耗散:1.96 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:20 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :13 S
下降时间:28 nS
包装形式:Reel
封装形式:PS
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.5 Ohms at 4.5 V, 31 mOhms at - 4.5 V
漏极连续电流:100 mA, - 5.5 A
闸/源击穿电压:+/- 10 V , +/- 8 V
汲极/源极击穿电压:20 V, - 12 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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