| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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TPCS8009-H(TE12L,Q | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET NCh 150V 2.1A Rdson=0.35Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：150 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，... | ||||||
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TPCS8104(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET P-ch -30V -11A 0.012 ohms single | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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TPCS8104(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET MOSFET P-CH 30V, 11A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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TPCS8105(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET P-Ch 30V 10A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 30 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V... | ||||||
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TPCS8204(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET N-ch 20V 6A 0.017 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8208(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET N-ch 20V 6A 0.017 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8209(TE12L) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET N-ch 20V 5A 0.03 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：否，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏... | ||||||
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TPCS8209(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET N-ch 20V 5A 0.03 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏... | ||||||
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TPCS8209(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8210(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET N-Ch Dual 20V 5A 0.030 Ohms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8210(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8211(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET N-ch 20V 6A 0.024 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8212(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET N-ch 20V 6A 0.024 ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8213(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 6A Rdson=0.012Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8214(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 30V 6A Rdson=0.013Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8302(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET P-Ch Dual -20V -6A 0.035 Ohms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8302(TE12L,Q,M | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 5A | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连续电... | ||||||
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TPCS8303(TE12L,Q) | Toshiba | TSSOP-8 | MOSFET P-Ch Dual -20V -5A 0.021 Ohms | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：- 20 V，闸/源击穿电压：12 V，漏极连... | ||||||
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TPCS8303(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET MOSFET P-CH Dual 20V, 5A | |||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：P-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏... | ||||||
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TPCT4201(T2L,B,F) | Toshiba | STP-4 | MOSFET MOSFET N-Ch Dual 20V 6A Rdson=0.0255Ohm | ||
| 参数：制造商：Toshiba，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：20 V，闸/源击穿电压：+/- 12 V，漏... | ||||||
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