中文参数如下:
工厂包装数量:3000
上升时间:5 ns
功率耗散:1100 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:42 ns
包装形式:Reel
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):21 mOhms
漏极连续电流:5 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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