| 图片 | 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | PDF资料 |
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PHW80NQ10T,127 | NXP Semiconductors | TO-247-3 | MOSFET N-CH TRENCH 100V 80A | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHX14NQ20T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.6 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHX18NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCH-100 | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12.5 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PHX18NQ20T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：8.2 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHX20N06T | NXP Semiconductors | TO-220F | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电... | ||||||
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PHX20N06T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：12.9 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHX23NQ10T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：100 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：13 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PHX23NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：16 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PHX27NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：20.8 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PHX34NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：24.8 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PHX45NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：110 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：30.4 A，电阻汲极/源极 R... | ||||||
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PHX8NQ11T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET TRENCHMOS (TM) FET | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：10 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：7.5 A，电阻汲极/源极 RDS... | ||||||
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PHX9NQ20T | NXP Semiconductors | TO-220F | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续... | ||||||
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PHX9NQ20T,127 | NXP Semiconductors | TO-220-3 全封装，隔离接片 | MOSFET RAIL PWR-MOS | ||
| 参数：制造商：NXP，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：200 V，闸/源击穿电压：+/- 20 V，漏极连续电流：5.2 A，电阻汲极/源极 RD... | ||||||
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PHT11N06LT /T3 | NXP Semiconductors | SOT-223 | MOSFET TAPE13 PWRMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 13 V，漏极连续电... | ||||||
SOT223-1.jpg)
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PHT11N06LT,135 | NXP Semiconductors | TO-261-4，TO-261AA | MOSFET TAPE13 PWRMOS | ||
| 参数：制造商：NXP，产品种类：MOSFET，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：55 V，闸/源击穿电压：+/- 13 V，漏极连续电... | ||||||
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PBSM5240PF,115 | NXP Semiconductors | 6-HUSON（2x2） | MOSFET BISS | ||
| 参数：制造商：NXP，RoHS：是，晶体管极性：N-Channel，汲极/源极击穿电压：30 V，闸/源击穿电压：8 V，漏极连续电流：0.66 A，电阻汲极/源极 ... | ||||||
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PBSS3515E,135 | NXP Semiconductors | SC-75 | MOSFET 15 V, 0.5 A PNP LOW VCESAT TRANSISTOR | ||
| 参数：NXP USA Inc.|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|停产|PNP|500 mA|15 V|250mV @ 50mA，5... | ||||||
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PD55025TR-E | STMicroelectronics | PowerSO-10RF（成形引线） | MOSFET RF Power Trans N-Channel | ||
| 参数：STMicroelectronics|卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel 得捷定制卷带|-|在售|LDMOS|-|500MHz|14.5dB|12... | ||||||
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PD57018S-E | STMicroelectronics | PowerSO-10RF（直引线） | 400 | MOSFET 8 BITS MICROCONTR | |
| 参数：STMicroelectronics|管件|-|在售|LDMOS|-|945MHz|16.5dB|28 V|2.5A|-|100 mA|18W|65 V|-|P... | ||||||
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