PHX23NQ11T,127

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 TO-220-3 全封装,隔离接片
数量:
 5562  
说明:
 MOSFET TRENCHMOS (TM) FET
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PHX23NQ11T,127 PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:26 ns
工厂包装数量:50
上升时间:39 ns
功率耗散:41.6 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:24 ns
包装形式:Rail
封装形式:TO-220F
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.07 Ohms
漏极连续电流:16 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:110 V
晶体管极性:N-Channel
制造商:NXP

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