PHT11N06LT /T3

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-223
数量：: 3708
说明：: MOSFET TAPE13 PWRMOS

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PHT11N06LT /T3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：PHT11N06LT,135
典型关闭延迟时间：70 ns
工厂包装数量：4000
上升时间：65 ns
功率耗散：1800 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：65 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
漏极连续电流：10.7 A
闸/源击穿电压：+/- 13 V
汲极/源极击穿电压：55 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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